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首页 全部分类 IRFR420TRPBF vs FDD6N50TM-WS

IRFR420TRPBF备选型号: FDD6N50TM-WS

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  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电压
  • 电流
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFR420TRPBF
    Infineon Technologies
    PLANAR >= 100V
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2017
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    500V
    未说明
    not_compliant
    2.4A
    未说明
    500V
    24A
    N-Channel
    3 Ω @ 1.4A, 10V
    4V @ 250μA
    360pF @ 25V
    19nC @ 10V
    8.6ns
    ±20V
    2.4A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6N50TM-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    900m Ω @ 3A, 10V
    5V @ 250μA
    9400pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    6A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    260.37mg
    yes
    900mOhm
    FDD6N50
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    6 ns
    35 ns
    5V
    30V
    6A
    500V
    无SVHC
    无
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FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 6A DPAK 对比