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首页 全部分类 IRFR48ZPBF vs FDD10AN06A0

IRFR48ZPBF备选型号: FDD10AN06A0

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  • 触点镀层
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRFR48ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    11MOhm
    55V
    62A
    Single
    91W
    15 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 37A, 10V
    4V @ 50μA
    1720pF @ 25V
    60nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    35 ns
    42A
    4V
    20V
    55V
    55V
    40 ns
    4 V
    2.3876mm
    10.3886mm
    6.73mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD10AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    11A Ta 50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    10.5MOhm
    60V
    50A
    Single
    135W
    8 ns
    N-Channel
    10.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1840pF @ 25V
    37nC @ 10V
    79ns
    ±20V
    32 ns
    50A
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    4.535924g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    60V
    50A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    429 mJ
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