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IRFR540ZPBF备选型号: AUIRFR540Z
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- ECCN 代码
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK19 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63335A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR99Single91W14 nsN-Channel28.5m Ω @ 21A, 10V4V @ 50μA1690pF @ 25V59nC @ 10V42ns±20V34 ns35A4V20V100V100V48 ns4 V2.2606mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N CH 100V 35A DPAK26 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63335A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2013活跃1 (Unlimited)-EAR99-91W14 nsN-Channel28.5m Ω @ 21A, 10V4V @ 50μA1690pF @ 25V59nC @ 10V42ns±20V34 ns35A4V20V100V------无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Single
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFR540ZTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 对比 |
| IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 对比 |
| AUIRFR540Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 100V 35A DPAK | 对比 |
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