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IRFR5505GTRPBF备选型号: IRFR5505TRPBF

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  • 输入电容
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFR5505GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    110MOhm
    150°C
    -55°C
    Single
    57W
    12 ns
    P-Channel
    110mOhm @ 9.6A, 10V
    4V @ 250μA
    650pF @ 25V
    32nC @ 10V
    28ns
    55V
    ±20V
    16 ns
    18A
    20V
    -55V
    650pF
    110mOhm
    110 mΩ
    2.38mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR5505TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    110mOhm
    -
    -
    Single
    57W
    12 ns
    P-Channel
    110m Ω @ 9.6A, 10V
    4V @ 250μA
    650pF @ 25V
    32nC @ 10V
    28ns
    55V
    ±20V
    16 ns
    -18A
    20V
    -55V
    -
    -
    -
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -55V
    鸥翼
    260
    -18A
    30
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    -4V
    TO-252AA
    64A
    -55V
    77 ns
    150°C
    -4 V
    无SVHC
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