Infineon Technologies IRFR5505GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

57W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

110MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

57W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

28ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-55V

输入电容

650pF

漏源电阻

110mOhm

最大rds

110 mΩ

高度

2.38mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅