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首页 全部分类 IRFR7546PBF vs IRFR1018EPBF

IRFR7546PBF备选型号: IRFR1018EPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFR7546PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    StrongIRFET™
    2013
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    99W
    8.1 ns
    N-Channel
    7.9m Ω @ 43A, 10V
    3.7V @ 100μA
    3020pF @ 25V
    87nC @ 10V
    28ns
    60V
    ±20V
    20 ns
    56A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR1018EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    -
    30
    -
    Single
    110W
    13 ns
    N-Channel
    8.4m Ω @ 47A, 10V
    4V @ 100μA
    2290pF @ 50V
    69nC @ 10V
    35ns
    -
    ±20V
    46 ns
    79A
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    4V
    TO-252AA
    56A
    0.0084Ohm
    60V
    88 mJ
    39 ns
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
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