您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRFR7546TRPBF vs FDD13AN06A0

IRFR7546TRPBF备选型号: FDD13AN06A0

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFR7546TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    56A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2007
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 43A, 10V
    3.7V @ 100μA
    3020pF @ 25V
    87nC @ 10V
    28ns
    60V
    ±20V
    20 ns
    56A
    3.7V
    TO-252AA
    20V
    0.0079Ohm
    280A
    60V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD13AN06A0
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    9.9A Ta 50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    1350pF @ 25V
    29nC @ 10V
    77ns
    -
    ±20V
    25 ns
    50A
    4V
    TO-252AA
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    yes
    SMD/SMT
    60V
    9.9A
    FDD13AN06
    115W
    60V
    60V
    56 mJ
    4 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R 对比
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 75V 80A DPAK 对比
IRFR1018EPBF IRFR1018EPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 79A DPAK 对比