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首页 全部分类 IRFR9N20DTRPBF vs FQD630TF

IRFR9N20DTRPBF备选型号: FQD630TF

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFR9N20DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    380mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    200V
    鸥翼
    260
    9.4A
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    86W
    DRAIN
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.6A, 10V
    5.5V @ 250μA
    560pF @ 25V
    27nC @ 10V
    16ns
    ±30V
    9.3 ns
    9.4A
    5.5V
    TO-252AA
    30V
    200V
    200V
    5.5 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    FQD630TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    200V
    -
    -
    7A
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    -
    N-Channel
    -
    400m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    25nC @ 10V
    75ns
    ±25V
    64 ns
    7A
    -
    -
    25V
    200V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
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