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首页 全部分类 IRFS17N20DPBF vs FQB19N20CTM

IRFS17N20DPBF备选型号: FQB19N20CTM

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  • 输入电容
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  • 最大rds
  • 栅源电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 长度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFS17N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    200V
    16A
    Single
    140W
    11 ns
    N-Channel
    170mOhm @ 9.8A, 10V
    5.5V @ 250μA
    1100pF @ 25V
    50nC @ 10V
    19ns
    200V
    ±30V
    6.6 ns
    16A
    30V
    200V
    200V
    1.1nF
    170mOhm
    170 mΩ
    5.5 V
    4.69mm
    10.54mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQB19N20CTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    200V
    19A
    Single
    3.13W
    15 ns
    N-Channel
    170m Ω @ 9.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1080pF @ 25V
    53nC @ 10V
    150ns
    -
    ±30V
    115 ns
    19A
    30V
    200V
    -
    -
    -
    -
    -
    4.83mm
    9.65mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    5 Weeks
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    170mOhm
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    76A
    10.67mm
    无
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IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK 对比