Infineon Technologies IRFS17N20DPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 140W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

200V

额定电流

16A

元素配置

Single

功率耗散

140W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

170mOhm @ 9.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

6.6 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

输入电容

1.1nF

漏源电阻

170mOhm

最大rds

170 mΩ

栅源电压

5.5 V

高度

4.69mm

宽度

10.54mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅