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首页 全部分类 IRFS3006TRL7PP vs IRFS3006-7PPBF

IRFS3006TRL7PP备选型号: IRFS3006-7PPBF

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  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFS3006TRL7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    SILICON
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    2.1MOhm
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 168A, 10V
    4V @ 250μA
    8850pF @ 50V
    300nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    69 ns
    240A
    20V
    60V
    303 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS3006-7PPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    2.1MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    375W
    -
    14 ns
    N-Channel
    -
    2.1m Ω @ 168A, 10V
    4V @ 250μA
    8850pF @ 50V
    300nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    69 ns
    293A
    20V
    60V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    4V
    4.572mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
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