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首页 全部分类 IRFS3006TRL7PP vs IRFS7530TRLPBF

IRFS3006TRL7PP备选型号: IRFS7530TRLPBF

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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFS3006TRL7PP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    7
    SILICON
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    2.1MOhm
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 168A, 10V
    4V @ 250μA
    8850pF @ 50V
    300nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    69 ns
    240A
    20V
    60V
    303 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7530TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    52 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 250μA
    13703pF @ 25V
    411nC @ 10V
    141ns
    ±20V
    104 ns
    195A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    1
    Single
    60V
    3.7V
    0.002Ohm
    760A
    60V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
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