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IRFS3307ZPBF备选型号: IRFS3207ZPBF
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- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2006Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR995.8MOhm75V120ASingle230W15 nsN-Channel5.8m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4750pF @ 50V110nC @ 10V64ns±20V65 ns120A4V20V75V75V50 ns4 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR994.1MOhm75V170A-300W20 nsN-Channel4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V68ns±20V-170A4V20V75V75V54 ns4 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
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