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IRFS38N20DTRLP备选型号: IRFS31N20DTRLP
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2002e3活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9954mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200V鸥翼26038A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET320WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 26A, 10V5V @ 250μA2900pF @ 25V91nC @ 10V95ns±20V47 ns44A5V30V200V200V460 mJ240 ns5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON31A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2000-不用于新设计1 (Unlimited)2-EAR9982mOhm-200V鸥翼-31A-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 18A, 10V5.5V @ 250μA2370pF @ 25V107nC @ 10V38ns±30V10 ns31A5.5V30V200V200V420 mJ-5.5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB52N20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 52 A, 200 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB52N20TM | 对比 |
| IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 对比 |
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB44N25TM - MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2 | 对比 |
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