Infineon Technologies IRFS31N20DTRLP

工厂交货时间

14 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 200W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2000

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

82mOhm

电压 - 额定直流

200V

终端形式

鸥翼

额定电流

31A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

107nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

31A

阈值电压

5.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

栅源电压

5.5 V

宽度

9.65mm

长度

10.668mm

高度

4.826mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅