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IRFS4321PBF备选型号: FDB110N15A
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 辐射硬化
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- 无铅
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- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB385A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)SMD/SMTEAR9915MOhm150V83ASingle330W18 nsN-Channel15m Ω @ 33A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 25V110nC @ 10V60ns±30V35 ns83A5V30V150V150V130 ns5 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB346 ns-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011活跃1 (Unlimited)-EAR99---Single234W25 nsN-Channel11m Ω @ 92A, 10V4V @ 250μA4510pF @ 75V61nC @ 10V26ns±20V14 ns92A-20V150V---4.83mm10.67mm9.65mm-无ROHS3 Compliant-8 WeeksACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1.31247gSILICONe3yes2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK | 对比 |
| IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 对比 |
| FDB110N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details | 对比 |
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