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首页 全部分类 IRFS4410ZPBF vs IRF1407STRLPBF

IRFS4410ZPBF备选型号: IRF1407STRLPBF

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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRFS4410ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    97A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    9MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    4820pF @ 50V
    120nC @ 10V
    52ns
    ±20V
    57 ns
    97A
    4V
    20V
    100V
    100V
    242 mJ
    57 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1407STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    7.8mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.8m Ω @ 78A, 10V
    4V @ 250μA
    5600pF @ 25V
    250nC @ 10V
    150ns
    ±20V
    140 ns
    100A
    4V
    20V
    75V
    75V
    -
    -
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    75A
    520A
    无
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