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IRFS4510PBF备选型号: HUF75645S3S
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- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 栅源电压
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- 长度
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
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- 电压 - 额定直流
- 终端形式
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- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
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- 晶体管应用
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- 漏源击穿电压
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK52 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB361A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2007Discontinued1 (Unlimited)EAR99Single140W13 nsN-Channel13.9m Ω @ 37A, 10V4V @ 100μA3180pF @ 50V87nC @ 10V32ns100V±20V61A3V20V3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB375A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™-Obsolete1 (Unlimited)EAR99Single310W-N-Channel14m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA3790pF @ 25V238nC @ 20V117ns-±20V75A-20V-----符合RoHS标准无铅SILICONe3yes2Tin (Sn)100V鸥翼未说明75A未说明R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING97 ns100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | 对比 |
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