Infineon Technologies IRFS4510PBF
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IRFS4510PBF
1211-IRFS4510PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
1最小包装量--
IRFS4510PBF详情
Infineon Technologies IRFS4510PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
52 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
61A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
140W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.9m Ω @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3180pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
61A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
栅源电压
3 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS4510PBF拓展信息
Infineon Technologies
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