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IRFS4510TRLPBF备选型号: IPB70N10S3L12ATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 附加功能
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON61A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2012活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET140WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING13.9m Ω @ 37A, 10V4V @ 100μA3180pF @ 50V87nC @ 10V32ns±20V61A2V20V100V250A无SVHCROHS3 Compliant无铅-------- Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-26314 Weeks-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-Channel-11.8m Ω @ 70A, 10V2.4V @ 83μA5550pF @ 25V80nC @ 10V-±20V----280A-ROHS3 Compliant-YES逻辑电平兼容100V70A0.012Ohm100V154 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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