IRFS4610PBF备选型号: IRFS4610TRLPBF

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  • 终止次数
  • 电阻
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  • 终端形式
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 阈值电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    14mOhm
    100V
    鸥翼
    73A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 100μA
    3550pF @ 50V
    140nC @ 10V
    87ns
    ±20V
    70 ns
    73A
    20V
    100V
    290A
    100V
    53 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    73A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    14MOhm
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    190W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 44A, 10V
    4V @ 100μA
    3550pF @ 50V
    140nC @ 10V
    87ns
    ±20V
    70 ns
    73A
    20V
    100V
    290A
    -
    -
    -
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    e3
    EAR99
    SINGLE
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    4V
  • 添加型号
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