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IRFS4615PBF备选型号: FDB42AN15A0-F085
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- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 33A D2-PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON25 ns2008HEXFET®Tube-55°C~175°C TJe3Discontinued1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET144WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 21A, 10V5V @ 100μA1750pF @ 50V40nC @ 10V35ns±20V20 ns33A5V20V0.042Ohm150V150V5 V9.65mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅----
MOSFET N-CH 150V 35A TO-263ABTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3SILICON35A Tc-Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)2--Tin (Sn)鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING42m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA2040pF @ 25V36nC @ 10V11ns±20V3 ns35A-20V0.042Ohm150V-----符合RoHS标准--无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)1.31247gyes78 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB42AN15A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB | 对比 |
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB | 对比 |
| AUIRF6218S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK | 对比 |
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