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IRFS4620TRLPBF备选型号: IRFS4020PBF
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- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 资历状况
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK12 WeeksSurface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON24A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET144WDRAIN13.4 nsN-ChannelSWITCHING77.5m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns±20V14.8 ns24A20V0.0775Ohm200V100A9.65mm10.668mm4.826mm无ROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK-Surface Mount, Through Hole表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON18A Tc-55°C~175°C TJTube-2007e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET100WDRAIN7.8 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 11A, 10V4.9V @ 100μA1200pF @ 50V29nC @ 10V12ns±20V6.3 ns18A20V0.105Ohm200V52A4.83mm10.668mm4.826mm-ROHS3 Compliant-SMD/SMT不合格4.9V200V94 mJ120 ns4.9 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
| BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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