Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

250 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

系列

SIPMOS®

已出版

2004

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 13.5A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 25V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅