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IRFS52N15DTRLP备选型号: IRFS23N15DTRLP
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON51A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMT鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.8WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING32m Ω @ 36A, 10V5V @ 250μA2770pF @ 25V89nC @ 10V47ns±30V25 ns60A30V150V240A150V470 mJ5 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON23A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004-不用于新设计1 (Unlimited)2-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET3.8WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 14A, 10V5.5V @ 250μA1200pF @ 25V56nC @ 10V32ns±30V8.4 ns23A30V150V92A-260 mJ--无ROHS3 Compliant含铅EAR99150V23A0.09Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS33N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
 | FQB45N15V2TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 150V 45A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | 对比 |
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