ON Semiconductor FQB45N15V2TM

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

224 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

220W

额定电流

45A

元素配置

Single

功率耗散

220W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 22.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3030pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

94nC @ 10V

上升时间

232ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

246 ns

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

150V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅