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首页 全部分类 IRFS7437TRLPBF vs AUIRFS8407

IRFS7437TRLPBF备选型号: AUIRFS8407

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  • ECCN 代码
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • Infineon Technologies
    IRFS7437TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    1.8MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7330pF @ 25V
    225nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    53 ns
    195A
    3V
    20V
    40V
    802 mJ
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS8407
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRFS8407 MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    -
    230W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    1.8m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 150μA
    7330pF @ 25V
    225nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    53 ns
    195A
    3V
    20V
    40V
    -
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    IRFS8407
    1
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