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IRFS7437TRLPBF备选型号: AUIRFS8408-7P
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2012活跃1 (Unlimited)2EAR991.8MOhm鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V70ns±20V53 ns195A3V20V40V802 mJ3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------- MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-710 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB7-240A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)-----Single-294W-23 nsN-Channel-1mOhm @ 100A, 10V3.9V @ 250μA10250pF @ 25V315nC @ 10V125ns±20V85 ns240A3V20V40V-3 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅D2PAK175°C-55°CIRFS8408140V10.25nF1mOhm1 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7434PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS8408-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | 对比 |
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