IRFS7530TRL7PP备选型号: IRFS7534TRLPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N CH 60V 240A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)71.59999gSILICON240A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明1Single375W24 nsN-Channel1.4m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA12960pF @ 25V354nC @ 10V102ns±20V79 ns240A3.7V20V60V175°C5.084mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET N CH 60V 195A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)33.949996gSILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)EAR99260301Single-20 nsN-Channel2.4m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA10034pF @ 25V279nC @ 10V134ns±20V93 ns195A3.7V20V60V-4.83mm10.67mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant无铅e32Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.0024Ohm944A775 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS3006TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7 | 对比 |
![]() | IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
![]() | STH265N6F6-6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 | 对比 |





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