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IRFS7537TRLPBF备选型号: IRFS7730TRLPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N CH 60V 173A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996gSILICON173A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G21Single增强型MOSFET230WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3.3m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 150μA7020pF @ 25V210nC @ 10V105ns60V±20V84 ns173A20V700A60V554 mJ4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996gSILICON195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013-活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--R-PSSO-G21Single增强型MOSFET-DRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA13660pF @ 25V407nC @ 10V120ns75V±20V115 ns195A20V984A75V898 mJ---ROHS3 Compliant无铅0.0026Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB039N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS7537PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | 对比 |
| IRFS7534PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |
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