Infineon Technologies IRFS7534PBF
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IRFS7534PBF
1211-IRFS7534PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
--最小包装量--
IRFS7534PBF详情
Infineon Technologies IRFS7534PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
195A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
294W Tc
Turn Off Delay Time
118 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
294W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10034pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
279nC @ 10V
上升时间
134ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
93 ns
连续放电电流(ID)
195A
栅极至源极电压(Vgs)
3.7V
漏源击穿电压
60V
输入电容
10.034nF
漏源电阻
2.4mOhm
最大rds
2.4 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS7534PBF拓展信息
Infineon Technologies
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