IRFS7734PBF备选型号: FDB039N06
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g183A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2013Discontinued1 (Unlimited)EAR991Single20 nsN-Channel3.5m Ω @ 100A, 10V3.7V @ 250μA10150pF @ 25V270nC @ 10V123ns75V±20V100 ns183A20V4.83mm10.67mm9.65mmROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK36 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-1.31247g120A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®-Obsolete1 (Unlimited)--Single30 nsN-Channel3.9m Ω @ 75A, 10V4.5V @ 250μA8235pF @ 25V133nC @ 10V40ns-±20V24 ns174A20V---符合RoHS标准-yes231W60V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB039N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK | 对比 |




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