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首页 全部分类 IRFSL38N20DPBF vs IRFSL4227PBF

IRFSL38N20DPBF备选型号: IRFSL4227PBF

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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRFSL38N20DPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFSL38N20DPBF MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 200 V, 0.054 ohm, 10 V, 5 VNew
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    43A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    175°C
    -55°C
    300W
    SINGLE
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.8W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    91nC @ 10V
    95ns
    200V
    47 ns
    44A
    5V
    30V
    0.054Ohm
    200V
    460 mJ
    9.65mm
    10.67mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFSL4227PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    62A Tc
    Tube
    HEXFET®
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    -
    -
    260
    40
    -
    增强型MOSFET
    330W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 46A, 10V
    5V @ 250μA
    4600pF @ 25V
    98nC @ 10V
    20ns
    -
    31 ns
    62A
    5V
    30V
    0.026Ohm
    -
    140 mJ
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    SILICON
    -40°C~175°C TJ
    Single
    ±30V
    200V
    260A
    5 V
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