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IRFSL4127PBF备选型号: IPI086N10N3GXKSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 无卤素
- Vgs（最大值）
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET,200V,76A,23.2 MOHM,100 NC QG,TO-26212 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON72A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008e3活跃1 (Unlimited)3EAR9922MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030Single增强型MOSFET375WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 44A, 10V5V @ 250μA5380pF @ 50V150nC @ 10V18ns22 ns72A20V200V250 mJ9.652mm10.668mm4.826mm无ROHS3 Compliant无铅----------
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-26218 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-SILICON1-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-Tin (Sn)---增强型MOSFET125W-18 nsN-ChannelSWITCHING8.6m Ω @ 73A, 10V3.5V @ 75μA3980pF @ 50V55nC @ 10V42ns8 ns80A20V-----无ROHS3 Compliant无铅yesSINGLE3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素±20V100V0.0086Ohm320A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFSL4115PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 150V 195A TO262 | 对比 |
| IRFSL4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 | 对比 |
| IPI086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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