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IRFSL4321PBF备选型号: IRFSL4115PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON85A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier150V26083A30不合格Single增强型MOSFET330WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 33A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 25V110nC @ 10V60ns±30V35 ns83A5V30V75A150V9.65mm10.668mm4.826mm无SVHC符合RoHS标准无铅--- MOSFET N-CH 150V 195A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-260-30-Single增强型MOSFET375WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING12.1m Ω @ 62A, 10V5V @ 250μA5270pF @ 50V120nC @ 10V73ns±20V39 ns99A-20V-150V9.65mm10.668mm4.826mm-符合RoHS标准无铅12.1MOhm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3205LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 对比 |
| IRFSL4227PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 | 对比 |
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