Infineon Technologies IRF3205LPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

55V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

110A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 62A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3247pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

146nC @ 10V

上升时间

101ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

110A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

264 mJ

高度

9.65mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅