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首页 全部分类 IRFSL7434PBF vs IRFSL7437PBF

IRFSL7434PBF备选型号: IRFSL7437PBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 端子位置
  • 配置
  • 功率耗散
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRFSL7434PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO262
    12 Weeks
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    通孔
    3
    2.084002g
    SILICON
    115 ns
    2004
    HEXFET®, StrongIRFET™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    10820pF @ 25V
    324nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    68 ns
    195A
    3V
    20V
    40V
    780A
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFSL7437PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
    12 Weeks
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    195A Tc
    2012
    HEXFET®, StrongIRFET™
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 150μA
    7330pF @ 25V
    225nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    53 ns
    195A
    3V
    20V
    40V
    -
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    1.8MOhm
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    230W
    802 mJ
    3 V
    无
    无铅
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