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IRFU120ATU备选型号: IRLU120NPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA38.4A Tc-55°C~150°C TJTube1997Obsolete1 (Unlimited)100V8.4ASingle32WN-Channel200m Ω @ 4.2A, 10V4V @ 250μA480pF @ 25V22nC @ 10V14ns28 ns8.4A20V100V符合RoHS标准--------------------------
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA310A Tc-55°C~175°C TJTube2004活跃1 (Unlimited)100V10ASingle48WN-Channel185m Ω @ 6A, 10V2V @ 250μA440pF @ 25V20nC @ 5V35ns22 ns10A16V100VROHS3 Compliant12 WeeksSILICONHEXFET®e33EAR99185mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier雪崩 额定26030增强型MOSFETDRAIN4 nsSWITCHING±16V2V100V85 mJ2 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLU120NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK | 对比 |
| FQU13N10LTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |
| HUF76609D3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | 对比 |
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