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IRFU13N20DPBF备选型号: IRFU15N20DPBF
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- 电压 - 额定直流
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK14 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON13A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2000e3不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99235MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200V26013A30不合格Single增强型MOSFET110WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING235m Ω @ 8A, 10V5.5V @ 250μA830pF @ 25V38nC @ 10V27ns±30V10 ns13A30V200V52A200V5.5 V2.39mm6.7056mm2.3876mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-- MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3-17A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2005-Obsolete1 (Unlimited)----200V-17A--Single-140W-9.7 nsN-Channel-165m Ω @ 10A, 10V5.5V @ 250μA910pF @ 25V41nC @ 10V32ns±30V8.9 ns17A30V200V-------符合RoHS标准无铅无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU15N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK | 对比 |
| IRFU6215PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | IRFU6215PBF P-channel MOSFET Transistor, 13 A, 150 V, 3-Pin IPAK | 对比 |
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