IRFU4620PBF备选型号: IRFU220NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- MOSFET N-CH 200V 24A IPAKTin通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON24A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009e3Obsolete1 (Unlimited)3通孔EAR9926030Single增强型MOSFET144WDRAIN13.4 nsN-ChannelSWITCHING78m Ω @ 15A, 10V5V @ 100μA1710pF @ 50V38nC @ 10V22.4ns±20V14.8 ns24A20V0.078Ohm200V200V5 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无符合RoHS标准无铅----------
- MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON5A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2000e3活跃1 (Unlimited)3-EAR9926030Single增强型MOSFET43WDRAIN6.4 nsN-ChannelSWITCHING600m Ω @ 2.9A, 10V4V @ 250μA300pF @ 25V23nC @ 10V11ns±20V12 ns5A20V-200V200V4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks600OhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier200V5A4V5A20A46 mJ140 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFU4615PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 150V 33A IPAK | 对比 |



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