Infineon Technologies IRFU220NPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

43W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

600Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

43W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

46 mJ

恢复时间

140 ns

栅源电压

4 V

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free