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首页 全部分类 IRFU6215PBF vs AUIRFU4292

IRFU6215PBF备选型号: AUIRFU4292

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 配置
  • Infineon Technologies
    IRFU6215PBF
    Infineon Technologies
    IRFU6215PBF P-channel MOSFET Transistor, 13 A, 150 V, 3-Pin IPAK
    12 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    53 ns
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    580MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    -150V
    260
    -13A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    860pF @ 25V
    66nC @ 10V
    36ns
    150V
    ±20V
    37 ns
    -13A
    -4V
    20V
    -150V
    44A
    -150V
    -4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFU4292
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
    26 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    -
    9.3A Tc
    2015
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100W
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    345m Ω @ 5.6A, 10V
    5V @ 50μA
    705pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    -
    ±20V
    8.4 ns
    9.3A
    -
    20V
    250V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    Single
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