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首页 全部分类 IRFU6215PBF vs IRFU13N20DPBF

IRFU6215PBF备选型号: IRFU13N20DPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRFU6215PBF
    Infineon Technologies
    IRFU6215PBF P-channel MOSFET Transistor, 13 A, 150 V, 3-Pin IPAK
    12 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    53 ns
    2004
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    580MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    雪崩 额定
    -150V
    260
    -13A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 6.6A, 10V
    4V @ 250μA
    860pF @ 25V
    66nC @ 10V
    36ns
    150V
    ±20V
    37 ns
    -13A
    -4V
    20V
    -150V
    44A
    -150V
    -4 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
  • Infineon Technologies
    IRFU13N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
    14 Weeks
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    13A Tc
    2000
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    235MOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    200V
    260
    13A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    235m Ω @ 8A, 10V
    5.5V @ 250μA
    830pF @ 25V
    38nC @ 10V
    27ns
    -
    ±30V
    10 ns
    13A
    -
    30V
    200V
    52A
    200V
    5.5 V
    2.3876mm
    6.7056mm
    2.39mm
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    无铅
    不合格
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