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首页 全部分类 IRFZ24NLPBF vs IPI80N06S3-07

IRFZ24NLPBF备选型号: IPI80N06S3-07

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  • 引脚数
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRFZ24NLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    55V
    17A
    45W
    N-Channel
    70m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    ±20V
    17A
    20V
    55V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S3-07
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    55V
    80A
    135W
    N-Channel
    6.8m Ω @ 51A, 10V
    4V @ 80μA
    7768pF @ 25V
    170nC @ 10V
    41ns
    ±20V
    80A
    20V
    55V
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    哑光锡
    雪崩 额定
    260
    40
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    33 ns
    0.0068Ohm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPI70N04S406AKSA1 IPI70N04S406AKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 对比