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IRFZ24NSTRRPBF备选型号: IRLZ24NSTRLPBF

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  • 电阻
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRFZ24NSTRRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    D2PAK
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    55V
    17A
    Single
    45W
    4.9 ns
    N-Channel
    70mOhm @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    370pF @ 25V
    20nC @ 10V
    34ns
    55V
    ±20V
    27 ns
    17A
    20V
    55V
    370pF
    70mOhm
    70 mΩ
    4.699mm
    10.668mm
    9.65mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ24NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 45W; VGS /-16V; Qg 15
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55V
    17A
    Single
    45W
    7.1 ns
    N-Channel
    60m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    -
    ±16V
    29 ns
    18A
    16V
    55V
    -
    -
    -
    4.699mm
    10.668mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    60mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    60 ns
    72A
    55V
    68 mJ
    90 ns
    2 V
    无SVHC
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IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.06Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 45W; VGS /-16V; Qg 15 对比