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首页 全部分类 IRFZ44VZPBF vs IRFZ48ZPBF

IRFZ44VZPBF备选型号: IRFZ48ZPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRFZ44VZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    57A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    12mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    60V
    57A
    Single
    增强型MOSFET
    92W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 34A, 10V
    4V @ 250μA
    1690pF @ 25V
    65nC @ 10V
    62ns
    ±20V
    38 ns
    57A
    TO-220AB
    20V
    60V
    60V
    4 V
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ48ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    61A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    11Ohm
    -
    55V
    61A
    -
    -
    91W
    -
    15 ns
    N-Channel
    -
    11mOhm @ 37A, 10V
    4V @ 250μA
    1720pF @ 25V
    64nC @ 10V
    69ns
    ±20V
    -
    61A
    -
    20V
    55V
    55V
    4 V
    8.77mm
    -
    -
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220AB
    175°C
    -55°C
    55V
    1.72nF
    31 ns
    11mOhm
    11 mΩ
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