IRFZ48ZPBF备选型号: HUF75339P3
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- 电压 - 额定直流
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 长度
- 宽度
- MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB通孔通孔TO-220-33TO-220AB61A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2001Obsolete1 (Unlimited)11Ohm175°C-55°C55V61A91W15 nsN-Channel11mOhm @ 37A, 10V4V @ 250μA1720pF @ 25V64nC @ 10V69ns55V±20V61A20V55V55V1.72nF31 ns11mOhm11 mΩ4 V8.77mm无SVHC符合RoHS标准无铅---------------------
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®通孔通孔TO-220-33-75A Tc-55°C~175°C TJTubeUltraFET™2002活跃1 (Unlimited)12mOhm--55V75A200W15 nsN-Channel12m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA2000pF @ 25V130nC @ 20V60ns-±20V75A20V55V------9.4mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 WeeksTin1.8gSILICONe3yes3EAR99未说明未说明不合格Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING25 ns4VTO-220AB10.67mm4.83mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75339P3 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET® | 对比 | |
![]() | IRFZ48NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB | 对比 |
![]() | IPP77N06S3-09 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 77A TO-220 | 对比 |




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