IRG4BC10KPBF备选型号: IRG4IBC20UDPBF
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- 最高工作温度
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- 功率 - 最大
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 600V 9A 38W TO220AB通孔通孔TO-220-33TO-220AB600V2.62V-55°C~150°C TJTube2000Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V38W8ASingle38WStandard38W24ns2.62V9A600V2.62V @ 15V, 5A19nC18A11ns/51ns160μJ (on), 100μJ (off)无SVHC无符合RoHS标准无铅-------------------
- IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP通孔通孔TO-220-3 Full Pack3-600V2.1V-55°C~150°C TJTube2003Obsolete1 (Unlimited)--600V34W11.4ASingle34WStandard-17ns2.1V11.4A-2.1V @ 15V, 6.5A27nC52A39ns/93ns160μJ (on), 130μJ (off)无SVHC无符合RoHS标准无铅16 Weeks2.299997gSILICON3通孔EAR99ISOLATED电源控制N-CHANNEL37 nsTO-220AB55 ns320 ns20V6V170ns16.129mm10.7442mm4.826mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SGS5N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 8A 35W TO220F | 对比 | |
![]() | IRG4IBC20UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP | 对比 |
![]() | STGF14NC60KD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | 对比 |





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