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首页 全部分类 IRG4BC10SDPBF vs STGF19NC60HD

IRG4BC10SDPBF备选型号: STGF19NC60HD

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  • 宽度
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  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRG4BC10SDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 14A 38W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    600V
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    38W
    14A
    Single
    38W
    Standard
    38W
    32ns
    1.8V
    14A
    28 ns
    600V
    1.8V @ 15V, 8A
    15nC
    18A
    76ns/815ns
    310μJ (on), 3.28mJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF19NC60HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF19NC60HD IGBT Single Transistor, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    32W
    9A
    Single
    35W
    Standard
    -
    7ns
    600V
    16A
    31 ns
    -
    2.5V @ 15V, 12A
    53nC
    60A
    25ns/97ns
    85μJ (on), 189μJ (off)
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    STGF19
    3
    ISOLATED
    25 ns
    电源控制
    600V
    N-CHANNEL
    16A
    TO-220AB
    32 ns
    272 ns
    20V
    5.75V
    无SVHC
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