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首页 全部分类 IRG4BC20SDPBF vs STGF10NB60SD

IRG4BC20SDPBF备选型号: STGF10NB60SD

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 系列
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 连续放电电流(ID)
  • 最大击穿电压
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • Infineon Technologies
    IRG4BC20SDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 19A 60W TO220AB
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    600V
    1.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    通孔
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    60W
    19A
    Single
    60W
    COLLECTOR
    Standard
    62 ns
    电源控制
    35ns
    N-CHANNEL
    1.6V
    19A
    37 ns
    TO-220AB
    99 ns
    1.6V @ 15V, 10A
    1780 ns
    27nC
    38A
    62ns/690ns
    320μJ (on), 2.58mJ (off)
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    600V
    25W
    10A
    Single
    25W
    ISOLATED
    Standard
    -
    电源控制
    460ns
    N-CHANNEL
    600V
    23A
    37ns
    TO-220AB
    1160 ns
    1.75V @ 15V, 10A
    3100 ns
    33nC
    80A
    700ns/1.2μs
    600μJ (on), 5mJ (off)
    20mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    PowerMESH™
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STGF10
    3
    600V
    20A
    600V
    20V
    5V
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